NDD58PT6-2AET TR
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | NDD58PT6-2AET TR |
---|---|
Κατασκευαστής | Insignis Technology Corporation |
Λεπτομερής περιγραφή | DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1 |
Πακέτο | 66-TSOP II |
Σε απόθεμα | 38889 pcs |
Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1000 |
---|
$1.046 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Insignis Technology Corporation.Έχουμε τα 38889 κομμάτια του Insignis Technology Corporation NDD58PT6-2AET TR σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page | - |
Τάσης - Προμήθεια | 2.3V ~ 2.7V |
Τεχνολογία | SDRAM - DDR |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 66-TSOP II |
Σειρά | - |
Συσκευασία / υπόθεση | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 0°C ~ 70°C (TA) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Τύπος μνήμης | Volatile |
Μέγεθος μνήμης | 512Mbit |
Οργάνωση μνήμης | 64M x 8 |
Διασύνδεση μνήμης | SSTL_2 |
Μορφή μνήμης | DRAM |
Συχνότητα ρολογιού | 200 MHz |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
NDD56PT6-2AIT
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD60N360U1-1G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAKonsemi -
NDD60N745U1-1G
NDD60N745 - POWER MOSFET 600V 6.onsemi -
NDD60N745U1T4G
MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAKonsemi -
NDD60N550U1-1G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAKonsemi -
NDD60N360U1T4G
MOSFET N-CH 600V 11A DPAKonsemi -
NDD58PT6-2AET
DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1Insignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AET TR
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD60N360U1-35G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAKonsemi -
NDD56PT6-2AET TR
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD60N745U1-35G
MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAKonsemi -
NDD60N550U1T4G
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAKonsemi -
NDD36PT6-2AIT TR
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP IIInsignis Technology Corporation -
NDD56PT6-2AET
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AIT
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD56PT6-2AIT TR
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP IIInsignis Technology Corporation -
NDD58PFD-2AET TR
DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR DInsignis Technology Corporation -
NDD60N550U1-35G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAKonsemi -
NDD58PT6-2AIT
DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1Insignis Technology Corporation -
NDD58PFD-2AET
DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR DInsignis Technology Corporation